Samsung готується запустити 2-нм чипи у США раніше запланованого

Samsung Exynos

Samsung наближається до запуску передового виробництва напівпровідників у США. За останніми даними, завод у Техасі вже отримав дозвіл на часткову експлуатацію, що відкриває шлях до тестового випуску 2-нм чипів. Про це повідомляє Android Headlines.

Завод у Техасі готується до запуску

Йдеться про фабрику Samsung у Техасі, яку спочатку будували для 4-нм виробництва, але згодом модернізували під 2-нм техпроцес. Отримання тимчасового сертифіката дозволяє інженерам розпочати тестові виробничі процеси та фактично відкриває шлях до підготовки повноцінного запуску, що дає компанії змогу прискорити реалізацію своїх планів у США.

Новий завод Samsung у США вже має попередніх замовників, серед яких Tesla із контрактом на $16,5 млрд для виробництва AI-чипів автопілоту, а також AMD і Google, що планують використовувати потужності для власних процесорів і дата-центрів, і така зацікавленість з боку технологічних гігантів свідчить про високий рівень довіри до фабрики ще до запуску масового виробництва.


Телеграм double.newsТелеграм double.news

Схожі Новини
OpenAI

OpenAI закликає скоротити робочий тиждень через розвиток ШІ

OpenAI представила новий стратегічний документ, у якому окреслила бачення трансформації економіки в умовах стрімкого розвитку штучного інтелекту. У центрі уваги — зміна підходів до праці, податків і розподілу доходів.
Детальніше
Samsung DRAM

Samsung знову підвищує ціни на пам’ять через попит з боку ШІ та дата-центрів

Samsung знову підвищує ціни на оперативну пам’ять DRAM, незважаючи на розмови про можливий спад ринку. У другому кварталі 2026 року вартість продукції зросте приблизно на 30%, після різкого підвищення на початку року.
Детальніше
Відьмак

Анджей Сапковський працює над новим «Відьмаком»

Польський письменник Анджей Сапковський зробив одразу дві резонансні заяви під час публічного виступу в Брюсселі. Автор культового циклу про Геральт із Рівії підтвердив, що працює над новою книгою, а також різко висловився щодо вартості літератури.
Детальніше